ترانزیستور IRLR2905

199.200تومان

  • شرکت سازنده: INFINEON
  • نام: IRLR2905
  • نوع: ترانزیستور
  • پکیج ای سی: DPAK
  • تعداد پایه: 3پایه
  • هیتسینگ: ✅
  • ای سی مشابه: BUK9277
  • جنس ارجینال: ✅
  • ایسیو: SSAT

توضیحات

ترانزیستور IRLR2905 در ایسیو SSAT به عنوان تقویت کننده و همچنین درایو انژکتور بکار رفته است.


این ترانزیستور در واقع یک ماسفت پاور است.ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیم‌رسانا اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor) یا ماسفِت (اختصاری MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.


در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه‌پایه به نام‌های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند.


در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد، و چنان‌که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیم‌رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود.


از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.


عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به ماسفت‌ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.


ترانزیستور IRLR2905 با پکیج DPAK و 3پایه توسط شرکت INFINEON تولید و عرضه میشود.


تاکنون جایگزینی برای این قطعه معرفی نشده است.


اطلاعات بیشتر رو میتونید از دیتاشیت محصول پیدا کنید.


 

 

 

کاتالوگ: دیتاشیت  IRLR2905

 

 

 

 

Power MOSFET

 

 

 

Infineon

AUIRLR2905

AUIRLR2905

Download AUIRLR2905 Datasheet

  AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR2905 AUIRLU2905 Features  Advanced Planar Technology  Logic Level Gate Drive  Low On-Resistance  Dynamic dV/dT Rating  175°C Operating Temperature  Fast Switching  Fully Avalanche Rated  Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  Lead-Free, RoHS Compliant  Automotive Qualified *   VDSS RDS(on) ID D HEXFET® Power MOSFET 55V max. 27m 42A D Description Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications. S G D-Pak AUIRLR2905 G Gate D Drain S GD I-Pak AUIRLU2905 S Source Base part number AUIRLU2905 AUIRLR2905  Package T.

 

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ترانزیستور IRLR2905”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *