ترانزیستور درایو VND10N06

ترانزیستور درایو VND10N06

168.000تومان

  • شرکت سازنده: ST microelectronics
  • نام: VND10N06
  • نوع: ترانزیستور
  • کاربرد: رله دوبل / گرم کن سنسور اکسیژن و شیر برقی کنیستر
  • پکیج ای سی: DPACK
  • تعداد پایه: 3پایه
  • ای سی مشابه:❌
  • جنس ارجینال: ✅
  • ایسیو: Sagem s2000 / pl4
  • Valeo j34 / j35 / pl4
دسته: , , , برچسب: , , , , , , , ,

توضیحات

ترانزیستور درایو VND10N06 نوعی ترانزیستور ماسفت میباشد. این قطعه درایو و راه اندازی رله دوبل / گرم کن سنسور اکسیژن و شیر برقی کنیستر است.

یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز  (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) یا به اختصار ماسفت MOSFET نامیده می‌شود.

ماسفت یا GFET یک ترانزیستور اثر میدانی کنترل شده با ولتاژ است. این ترانزیستور به دلیل اینکه یک الکترود گیت “اکسید فلز” دارد که با لایه بسیار نازکی از مواد عایق از کانال n یا کانال p نیمه هادی اصلی عایق بندی شده، با  JFETمتفاوت است.

ترانزیستور درایو VND10N06 در ایسیو های SAGEM  و ولئو بکار رفته است.

این قطعه با پکیج DPACK و 3پایه توسط شرکت ST microelectronics تولید و به بازار عرضه میشود.

در حال حاضر جایگزینی برای ترانزیستور درایو VND10N06 معرفی نشده است.

اگر اطلاعات فنی دیگری راجب ترانزیستور درایو VND10N06 دارید میتوانید در قسمت نظرات با ما و دیگر همکاران به اشتراک بزارید.موارد بیشتر را میتوانید از طریق دیتاشیت محصول که در پایین صفحه قرار گرفته است پیدا کنید.

 

 

 

کاتالوگ: دیتاشیت VND10N06

 

 

 

 

fully autoprotected Power MOSFET

VND10N06 VND10N06-1 “OMNIFET” fully autoprotected Power MOSFET Features Max on-state resistance (per ch.) Current limi…

 

VND10N06

STMicroelectronics

Octopart Stock #: O-294885

Findchips Stock #: 294885-F

Web ViewView VND10N06 Datasheet

File DownloadDownload VND10N06 PDF File

 

 

 

 

Description

 

VND10N06 VND10N06-1 “OMNIFET” fully autoprotected Power MOSFET Features Max on-state resistance (per ch.) Current limitation (typ) Drain-Source clamp voltage RDS(on) Ilim VCLAMP 0.3Ω 10A 60V ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Logic level input threshold ■ ESD protection ■ Schmitt trigger on input ■ High noise immunity 3 1 DPAK TO-252 IPAK TO-251 3 2 1 Description The VND10N06 and VND10N06-1 are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-2 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Table 1. Device summary Package DPAK IPAK Tube VND10N06 VND10N06-1 Order codes Tape and reel VND10N06TR September 2013 Rev 4 1/25 www.st.com 25 Contents Contents VND10N06 / VND10N06-1 1 Block diagra…

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ترانزیستور درایو VND10N06”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

محصولات مرتبط