ترانزیستور 32N055

ترانزیستور 32N055

146.400تومان

  • شرکت سازنده: NEC
  • نام: 32N055
  • نوع: ترانزیستور
  • کاربرد: تقویت کننده
  • پکیج ای سی: D2PAK
  • تعداد پایه: 3 پایه
  • هیتسینگ: ❌
  • ای سی مشابه: ❌
  • جنس ارجینال:✅
  • ایسیو: سایر
دسته: , , برچسب: , ,

توضیحات

ترانزیستور 32N055 یک ترانزیستور ماسفت میباشد و نوعی تقویت کننده میباشد.

ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیم‌رسانا اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ) یا ماسفِت (اختصاری MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه‌پایه به نام‌های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند. در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد، و چنان‌که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیم‌رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.

عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به ماسفت‌ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

ترانزیستور 32N055 با پکیج D2PACK و 3 پایه توسط شرکت NEC تولید و روانه بازار میشود.

تاکنون جایگزینی برای این قطعه معرفی نشده است.

اطلاعات بیشتر رو میتونید از دیتاشیت محصول پیدا کنید.

 

 

 

کاتالوگ: دیتاشیت 32N055

 

 

 

 

N-Channel Power MOSFET

 

 

NP32N055HLE
Download NP32N055HLE Datasheet		 www.DataSheet4U.com DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR NP32N055HLE, NP32N055ILE SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. ORDERING INFORMATION PART NUMBER NP32N055HLE NP32N055ILE PACKAGE TO-251 TO-252 FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 24 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16 A) RDS(on)2 = 29 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID = 16 A) • Low Ciss : Ciss = 1300 pF TYP. • Built-in gate protection diode (TO-251) DataShee ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) DataSheet4U.com Drain to Source Voltage Gate to Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (Pulse) Note1 Total Power Dissipation (TA = 25°C) Total Power Dissipation (TC = 25°C) Single Avalanche Current Note2 VDS.

 

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ترانزیستور 32N055”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

محصولات مرتبط