ترانزیستور HUF76633S

240.000تومان

  • شرکت سازنده: Fairchild Semiconductor
  • نام: HUF76633S
  • نوع: ترانزیستور
  • پکیج ای سی: DPAK
  • تعداد پایه: 3پایه
  • هیتسینگ: ✅
  • ای سی مشابه: ❌
  • جنس ارجینال: ✅
  • ایسیو: سایر

توضیحات

ترانزیستور HUF76633S در خودروی جنسیس و سانتافه در قسمت ترمز دستی الکترونیکی مصرف شد است.


این ترانزیستور درواقع یک ماسفت است.ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیم‌رسانا اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor) یا ماسفِت (اختصاری MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.


در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه‌پایه به نام‌های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند.


در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد، و چنان‌که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیم‌رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود.


از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.


عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به ماسفت‌ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.


ترانزیستور HUF76633S با پکیج DPAK و 3پایه توسط شرکت Fairchild Semiconductor تولید و عرضه میشود.


تاکنون جایگزینی برای این قطعه معرفی نشده است.


اطلاعات بیشتر رو میتونید از دیتاشیت محصول پیدا کنید.


 

 

 

کاتالوگ: دیتاشیت HUF76633S

 

 

 

N-Channel MOSFET

Fairchild Semiconductor

HUF76633S3S

HUF76633S3S

Download HUF76633S3S Datasheet

HUF76633P3, HUF76633S3S Data Sheet December 2001 38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB SOURCE DRAIN GATE GATE SOURCE DRAIN (FLANGE) JEDEC TO-263AB DRAIN (FLANGE) Features • Ultra Low On-Resistance – rDS(ON) = 0.035Ω, VGS = 10V – rDS(ON) = 0.036Ω, VGS = 5V • Simulation Models – Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models – Spice and SABER Thermal Impedance Models – www.Fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve • Switching Time vs RGS Curves HUF76633P3 HUF76633S3S Symbol D Ordering Information G PART NUMBER HUF76633P3 S PACKAGE TO-220AB TO-263AB BRAND 76633P 76633S HUF76633S3S NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF76633S3ST. Absolute Maximum Ratings TC = 25oC, Unless Otherwise Specified HUF76633P3, HUF76633S3S UNITS V V V A A A A 100 100 ±16 38 39 27 27 Figure 4 Figures 6, 17, 18 145 0.97 -55 to 175 300 260 W W/oC oC oC oC Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VDSS Drain to Gate Voltage (RGS = 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . VDGR Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGS Drain Current Continuous (TC= 25oC, VGS = 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ID Continuous (TC= 25oC, VGS = 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . ID Continuous (TC= 100oC, VGS = 5V) . . . . . . . . . . . . ..

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ترانزیستور HUF76633S”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *