توضیحات
ترانزیستور IRF1404S در یونیت های خودرویی بکار رفته است.
این ترانزیستور در واقع یک ماسفت پاور است.ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمرسانا اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor) یا ماسفِت (اختصاری MOSFET) معروفترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.
در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سهپایه به نامهای گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر میگیرند.
در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمیکشد، و چنانکه از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمرسانا، جریان عبوری از FET کنترل میشود.
از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته میشود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمیگذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.
عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایهای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شدهاست. به این دلیل به ماسفتها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.
ترانزیستور IRF1404S با پکیج DPAK و 3پایه توسط شرکت INFINEON تولید و عرضه میشود.
تاکنون جایگزینی برای این قطعه معرفی نشده است.
اطلاعات بیشتر رو میتونید از دیتاشیت محصول پیدا کنید.
کاتالوگ: دیتاشیت IRF1404S
Power MOSFET
|
Infineon
|
AUTOMOTIVE GRADE Features Advanced Planar Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications. AUIRF1404S AUIRF1404L HEXFET® Power MOSFET VDSS RDS(on) typ. max. ID (Silicon Limited) ID (Package Limited) 40V 3.5m 4.0m 162A 75A D D S G D2Pak AUIRF1404S S D G TO-262 AUIRF1404L G Gate D Drain S Source Base part number AUIRF1404L AUI.
|
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.