توضیحات
ترانزیستور T20P06L ماسفت بکار رفته در ایسیو گاز زامیاد است و وظیفه درایو و راه اندازی انژکتور را بر عهده دارد.
ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمرسانا اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor) یا ماسفِت (اختصاری MOSFET) معروفترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.
در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سهپایه به نامهای گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر میگیرند. در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمیکشد، و چنانکه از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمرسانا، جریان عبوری از FET کنترل میشود.
از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته میشود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمیگذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.
عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایهای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شدهاست. به این دلیل به ماسفتها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.
ترانزیستور T20P06L با پکیج DPAK و 3 پایه توسط شرکت ON Semiconductor تولید و عرضه میشود.
تاکنون جایگزینی برای این قطعه معرفی نشده است.
اطلاعات بیشتر رو میتونید از دیتاشیت محصول پیدا کنید.
کاتالوگ: دیتاشیت T20P06L
NTD20P06L, NTDV20P06L
MOSFET – Power, Single,
P-Channel, DPAK
-60 V, -15.5 A
Features
• Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes
• Low Gate Charge for Fast Switching
• AEC Q101 Qualified − NTDV20P06L
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
Applications
• Bridge Circuits
• Power Supplies, Power Motor Controls
• DC−DC Conversion
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter Symbol Value Unit
Drain−to−Source Voltage VDSS −60 V
Gate−to−Source
Voltage
Continuous VGS 20 V
Non−Repetitive tp 10 ms VGSM 30
Continuous
Drain Current
Steady State TC = 25°C ID −15.5 A
Power Dissipation
Steady State TC = 25°C PD 65 W
Pulsed Drain
Current
tp = 10 s IDM 50 A
Operating Junction and Storage Temperature TJ,
TSTG
−55 to
175
°C
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche
Energy (VDD = 25 V, VGS = 5 V, IPK = 15 A,
L = 2.7 mH, RG = 25 )
EAS 304 mJ
Lead Temperature for Soldering Purposes
(1/8” from case for 10 s)
TL 260 °C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter Symbol Max Unit
Junction−to−Case (Drain) RJC 2.3 °C/W
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1) RJA 80
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 2) RJA 110
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq. pad size
(Cu area = 1.127 in sq. [1 oz] including traces)
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size
(Cu area = 0.412 in sq.)
P−Channel
D
S
G
1
Gate
3
Source
2
Drain
4
Drain
DPAK
CASE 369C
STYLE 2
MARKING DIAGRAMS
20P06L Device Code
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
G = Pb−Free Package
1 2
3
4
1
Gate
3
Source
2
Drain
4
Drain
IPAK/DPAK
CASE 369D
STYLE 2
1
2
3
4
−60 V 130 m @ −5.0 V
ID MAX
V (Note 1) (BR)DSS AYWW T20 P06LG AYWW T20 P06LG
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 5 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.